Qualcomm a annoncé, il y a quelques jours, le très attendu SoC Qualcomm Snapdragon 835 qui devrait commencer à équiper les téléphones haut de gamme début 2017. Cette nouvelle puce succédera ainsi au très populaires Snapdragon 820 et Snapdragon 821 qui équipent les téléphones haut de gamme actuellement sur le marché. Qualcomm n’a pas révélé un calendrier précis pour la disponibilité réelle du Snapdragon 835 mais on peut s’attendre à ce qu’il soit un des éléments phare du MWC 2017.
Les informations disponibles sont encore peu nombreuses, mais Qualcomm a indiqué que le nouveau Snapdragon 835 sera fabriqué par Samsung en 10 nm. Qualcomm révèle que le Snapdragon 835 offrira des performances jusqu’à 27 pour cent plus élevées tout en utilisant 40 pour cent en moins d’énergie que le Snapdragon 821 Snapdragon gravé en 14nm.
Un autre point fort de ce nouveau SoC est le support de la charge rapide Quick Charge 4. Qualcomm parle d’une charge 20 % plus rapide avec une efficacité 30 % supérieure. Toujours selon Qualcomm, Quick Charge 4 permettrait ainsi de charger une batterie à 50 % en 15 minutes et d’obtenir une autonomie de 5 heures avec seulement 5 minutes de charge. Quick Charge 4 est compatible avec l’USB Type-C et l’USB-PD.
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